inara1(2018/08/08 Wed 17:12) [ 編集 ] [ 返信 ]
フォトダイオードの陰極にプラス電源を印加すると、ダイオードに逆バイアスをかける（空乏層容量が減る）ことになるいので、応答速度が改善されます。フォトダイオードのデータシート
http://akizukidenshi.com/download/ds/hamamatsu/S2506-S6775.pdf
の1ページ目に遮断周波数が出ていますが、この脚注1,2に書かれたVRというのは逆バイアス電圧のことです。逆バイアスをかけないとこのような高速応答になりません。
＞はじめに試したMOSFetは動作が遅かった
今回使った2SA1015でも10kΩを入れないと遅くなります。MOS-FETでも、ゲートにたまった電荷を速く放電させる工夫をしないと遅くなります。
MOS-FETはどういう型番のものでしょうか。