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chy_farm(2019/10/16 Wed 23:56) [ 編集 ] [ 返信 ]

Re^2: IGBT周辺のGND接続について

このグラウンドの問題は解決できました。

次の課題はIGBTのゲート容量と、ハーフブリッジの出力電流の関係です。
そのことを知らないで組み立ててしまったら、ハーフブリッジの出力がIGBTのゲート容量にマッチングしなくて、 たかだか12キロヘルツのキャリア波なのに一部PWMに欠損が出てしまいました。

50アンペアのゲート容量は3500ピコファラドで、これは15ボルトまで昇圧させるのに電荷が
3500pF x 15 = 5.25 x 10^-8
必要でした。

ところがハーフブリッジのほうの出力電流が最小値で120ミリアンペア、平均値で290ミリアンペアでしたから、もし最小値で稼働して、最も小さいPWMパルス幅が例えば0.25マイクロセコンドだったとすると、
ハーフブリッジが供給できる電荷は
0.25 x 10^-6 x 120 x 10^-3 = 3 x 10^-8
となります。

そうすると
5.25 x 10^-8 > 3 x 10^-8
ですから、ハーフブリッジの出力電流が間に合わないことになります。

と言うことで、新たに小さめの出力のIGBTに変更しようとしています。